内存价格追踪：DDR3稳定上涨

内存现货市场分化加剧。DDR3凭借价格优势与零星急单支撑，表现相对坚挺；DDR4与DDR5则因价格高企、终端需求受抑，陷入买卖双方僵持。分析指出，此轮调整更多由情绪面驱动，而非需求系统性恶化，合约价格仍保持坚挺。

内存现货市场呈现明显分化格局。DDR3凭借价格优势持续走强，DDR4与DDR5则因价格高企、需求疲软陷入买卖双方僵局，NAND Flash同样承压，整体市场情绪趋于谨慎。

据集邦咨询最新内存现货价格追踪报告，截至3月31日当周，主流DDR4芯片（DDR4 1Gx8 3200MT/s）均价小幅下滑0.12%至33.96美元，DDR5价格亦延续弱势。

供应商虽采取积极降价策略，但模组厂仅在价格大幅低于市场水平时才进行小批量采购，双方形成僵持。中国市场方面，部分从二手设备拆解而来的模组价格跌幅较大，但对整体行情影响有限。

内存现货市场分化加剧

DDR4与DDR5现货市场本周延续疲态。集邦咨询表示，终端需求持续受高价格压制，2026年第二季度合约价格仍未公布，市场缺乏明确方向，交投意愿双重受抑。

供应商虽主动下调报价，但效果有限。主流DDR4芯片均价周跌幅仅0.12%，显示价格下行空间有限，上行亦缺乏动能。

与DDR4及DDR5的低迷不同，DDR3现货市场本周表现相对坚挺。集邦咨询指出，DDR3具备明显价格优势，叠加零星急单的间歇性提振，低价位区域实体买盘持续稳健，各品牌芯片价格走势趋于平稳。

这一格局表明，在整体需求疲弱的背景下，部分对成本敏感的买家正转向价格更低的DDR3作为替代，为该细分市场提供了相对独立的支撑逻辑。

NAND Flash现货市场本周同样走弱。集邦咨询指出，模组厂仅在价格明显低于市场水平时进行小批量采购，买卖双方动能不足。512Gb TLC现货价格本周下跌2.97%，供需平衡压力依然存在。

中国零售市场DDR5价格急跌 业内称集中于拆机模组

近期中国零售市场DDR5价格大幅下跌，引发关注。

华强北电子市场DDR5现货价格急跌约30%，32GB模组从近3000元降至约2500元，部分清仓报价低至1950元。主流16GB DDR5-5600/6000模组在本地电商平台的价格，亦较今年1—2月约1300元回落至约1000元，累计跌幅达25%—30%。

TrendForce报道援引业内人士指出，此番下跌主要集中于拆机现货模组，原生IC模组价格基本稳定。主要内存厂商1G DDR5模组成交价维持在5—7.5美元区间，主要反映再生IC的二级市场暴应情况。

Richard's Research Blog分析认为，现货市场DRAM芯片及模组仅占整体DRAM市场的1%—5%，中国零售端出现的“断崖式”下跌，更多体现小众渠道内的集中性行情波动，而非市场整体需求的系统性恶化。

价格回调背后：情绪驱动需求疲软

对于近期DRAM价格走软的原因，Richard‘s Research Blog分析认为，此轮调整更多属于市场修正，而非需求冲击。PC DRAM与移动DRAM现货及零售价格自今年2月至3月持续走软，促使此前在上涨行情中积累库存的厂商、经销商和交易商选择获利了结、平仓离场。

部分市场声音将Google TurboQuant视为抑制内存需求的催化剂。对此，该分析持不同看法，认为TurboQuant本质上属于人工智能数据中心推理技术，与PC DIMM定价几乎没有直接关联，仅在小众AI PC应用场景中存在边际影响。

分析还指出，目前合约价格依然坚挺，PC DIMM现货价格大幅下跌，说明此轮波动主要由情绪面驱动——交易商和库存持有者在负面消息流中选择锁定利润，而非受制于实际需求的恶化。