中共吹嘘EUV光刻机获突破 专家析内情

最近一段时间，中国有关光刻机的新闻又多了起来，诸如 “国产EUV光刻机有重大突破！” “EUV光刻机实质突破！”等新闻标题耸人听闻。然而仔细分析这些新闻，发现它们基本上把还是处于理论或实验室阶段的东西夸大其词。

专家表示，发展EUV光刻机不仅需要自由稳定的制度环境，而且需要工匠精神。在目前中共制度下，只会产生大量贪腐，任何人都没有真正的安全，留不住真正高端人才。

被夸大的国产光刻机

光刻机主要由光源、透镜及机台三大部分组成，光源部分尤其关键。

目前光刻机激光光源主流是荷兰ASML采用的LPP方案，该方案已被充分验证，现有EUV（极紫外光刻机）光源都是LPP。

大陆的LPP方案主要由上海光机所主导，该所挖来荷兰ASML研发部光源技术负责人林楠，据当前公开的研究进展，林楠团队在其建立的激光驱动等离子体极紫外（LPP-EUV）光源实验平台上，实现了高达3.42%的1 μm固体激光到13.5 nm极紫外光转换效率，主焦点13.5 nm极紫外单脉冲能量超20 mJ。

该结果被认为“处于国际靠前、国内领先水平”。

中国研发的EUV光源技术还有其它技术路径，比如哈尔滨工业大学的放电等离子体极紫外光源（DPP），这种方案被认为能量转换效率高、造价较低、体积较小、技术难度较低等优势，可提供中心波长为13.5纳米的极紫外光。

但业内人士表示，尽管DPP方案看起来比LPP简单，但当年Cymer（后并于ASML）无法提升功率只能放弃DPP转向LPP。

除此之外，广东智能机器研究院与华中科技大学，尝试采用分时高功率光纤激光器射击液态锡靶，绕开ASML超高功率、超高重频二氧化碳激光器这个路线。

最后一个方案则是路线最为创新、最为颠覆性的加速器光源SSMB-EUV，即稳态微聚束极紫外光源路线，由清华大学主导。

中国开发的上述几种光源路线，先后被陆媒吹捧为“重大突破”“实质突破”，听起来好像国产EUV已经指日可待了。

事实上，从ASML发展的经验来看，ASML仅完成EUV光源的可行性论证，就花了3年的时间，又花了15年，才完成13.5nm EUV光源的实用工程化。

ASML首席执行官克里斯托夫‧富凯（Christophe Fouquet）在今年4月的一次会议上表示，“产生一些EUV光是可能的，但中国要制造出EUV机器还需要很多很多年”。

专家：这样的新闻都是假的

曾任台积电采购经理的薛宗智对大纪元表示，“每次有人来问我这些大陆新闻真的假的，我说你只要看到这样的新闻都是假的，因为中国就喜欢敲锣打鼓说自己有多厉害。如果它真的做出来，是不会想要让你知道的。因为你让人家知道，人家就管制你，等于是自杀嘛！”

薛宗智表示，中国要做到荷兰ASML水平至少需要20年。他们现在做出来的，其实是实验室里人为控制的，实验室纯粹只是为了验证是否可行，可以用很大的设备、不计成本，只求做出一次成功。做工程的人都知道，从实验室做完到可以量产，有时候20年都做不到。很多教授写论文写得很厉害，但没办法做成产品，无法量产。量产表示它每分每秒做出来的品质是一模一样的。

台湾大学电机系教授林宗男对大纪元表示，他们为什么都是会吹捧夸大成就，最主要的部分是因为做不出来，做不出来才要吹捧。如果做得出来，它就直接将产品推出来了。

林宗男表示，以光源的功率而言，ASML最顶级有600瓦，哈工大的功率大概不到100瓦，所以有很大的差距，还无法用在实际工厂的制造。

台湾工研院政策与区域研究组组长李冠桦对大纪元表示，目前陆媒新闻来讲，其实都还是实验室的产物，实验室在乎的是发表论文，事实上离商业化还有很长的路要走。

他指出， EUV光源的确是一个关键，但EUV庞大的机器，不是只有光源，还包含透镜、整个系统的协调，尤其当做到先进制程3奈米、2奈米。一点点机器或零组件的公差，就会导致最终结果非常不好。

“尤其先进光刻机不纯粹只是在研发，还需要跟先进制程的制造商配合，大家鱼帮水、水帮鱼，共同去发展。中国非常不利的状况是，中国具有先进制程能力的厂商是没有的。它就没有办法吸取制造上的经验，进一步去优化它的光刻机。”

发展光刻机 需要什么样的人与制度？

业内人士认为，光刻机其实是一整套完整的纳米工业。要构建一台光刻机，难的不是任何一个环节，而是整台机器、所有零件、所有环节，全部都要达到纳米级精度。

中国国内的一些专家也坦言，光刻机不是说砸钱下去就能把差距追平的。科学需要创造力，创造力的前提是兴趣与包容试错的宽松环境，把科学作为任务甚至是命令，只能适得其反。不是所有东西都有山寨版，航发、芯片、光刻机等，单靠样品很难仿制。

台湾国防安全研究院战略与资源所所长苏紫云对大纪元表示，这种微物理的世界，涉及到很多专有知识和技术门槛，又涉及到机器制造的整合，不像航空母舰这种巨观武器装备，可以逆向工程出来，微观物理的装备没办法去逆向。

专家们都强调，光刻机这种微观而巨大工程，对人与社会制度都有非常高的要求。

林宗男表示，先进半导体的产业链非常的漫长，涉及的领域非常的广，需要经验的累积。所以如果没有一个稳定、自由安定的社会环境就无法积累技术经验，像中共这种制度不也大可能有产生高素质人才，也无法累积高素质的人才。

李冠桦表示，光刻机是一个很精密的系统，需要像日本那样一种工匠精神，非常非常专注、非常非常严谨，品质上要求非常高，每个环节都必须经过不停的重复、模拟，一步步形成最终成品。

他认为，中国也有这样的人才，但这样人才在中国不容易生存。因为中国常常讲快速进入市场，在市场指标下，很多本来应该要慢工出细活、需要一步步扎根的事情，过程中都被省略了。如果中间过程都不想要，只想要最终成果的话，其实就是缘木求鱼了。

李冠桦表示，只要在这个行业待过的人，都知道要在短短两三年内要达到国外成就，是不可能的事。问题如果你要用很长的时间就拿不到经费，所以最好的方法就是先骗到一笔钱，快速在市场进行实现，所谓晶片贪腐案就是理所当然了。

苏紫云表示，中共的大基金是一种有计划性的贪腐，以晶片业的名头，慷政府之慨，各个地方政府跟不肖人士也勾结，成立了一堆假的半导体公司骗补之后两年就倒了。

他补充说，在中共一党专政的情况之下，任何人都没有真正的安全。因为党随时会说是泄密或其它的安全问题，所以留不住真正高端的人才。

造光刻机有多难？

迄今为止，ASML的EUV光刻机是全球制造业独一无二的奇迹，即使ASML一些资料公开，也没有其它国家能够造出来。

薛宗智表示，ASML的想法大家都知道，因为ASML早就公布了，专利早就过期了。但是为什么ASML做得出来，中国做不出来？原因很简单，今天中国把奔驰买去，它能马上做出奔驰车子的水准吗？不可能。因为奔驰、BMW这些车厂有几百年磨下来的经验。

“那个技术我自己以前负责过，技术太难了，我必须要尊重技术和人才”，他说，美国也做不出来，台湾、日本都做不出来，全世界只有ASML做得出来。

薛宗智表示，即使台积电把ASML买下来，台积电几万个R&D博士工程师也没有办法做。像光学折射有数万种模型，哪种模型最适合用在哪一种制程？那都是要花几兆数据资料库才有办法去整合的，也许用AI来处理可以快一点点。但如果你没有数据，就算有AI，你也没办法。所以你就必须要有光学技术，从4吋、6吋、8吋、12吋，从几微米到几奈米，全世界有数据的只有ASML。

薛宗智认为，除了长期企业积累资料外，个人经验与传承也很关键。

“我总是讲，人是最强的AI，尤其一些老师傅。以前我们去修车，老师傅只要听一下就知道问题在哪里。可是AI没办法，毕竟没有办法做到人用五感就可以去知道的状况，它需要大量的数据。”

他补充说，美国也一样，美国亚利桑那的台积电工厂，最后必须要台积电原班人马全部搬过去，整个大数据都搬过去，才做得出来。

“这个东西称为软实力，中国过去太阳能面板或LED照明做得蛮不错，那是因为门槛很低，但半导体这块它就踢到石头了。”

薛宗智还提到第三个因素，即ASML的EUV是客户共同开发的结果，而不是闭门造车。

薛宗智表示，设备最需要的是客户的回馈。就像做一个烤面包机，如果只是用自己的想法去做，一定不会好。但是如果跟很多的面包师傅合作，就知道他们在乎怎么用，就会越做越棒。

薛宗智表示，中国就算今天真的有办法做出EUV，无论你是清华或北大做出来，可是也找不到客户愿意测试，中国现在并没有任何可以生产3奈米跟5奈米的晶圆厂。中芯国际现在也只有10奈米，所谓的7奈米都是假的，良率非常差，寿命非常短。

中共光刻技术差距有多大？

根据华盛顿特区独立智库“安全与新兴技术中心”（CSET）的最新数据，在光刻工具领域，中国在2019年至2024年期间获得的市场份额微不足道。荷兰仍然是光刻工具主要供应国（79%），其次是日本（17%），表明光刻技术仍然是中共半导体技术野心的关键瓶颈，外国老牌企业持续保持着强大领先地位。

中国的上海微电子装备股份有限公司（SMEE）在用于传统芯片制造的I-line（365奈米）光刻机方面仅占有4%市场份额。

李冠桦表示，在先进制程那一块，在美国卡的非常紧的情况下，不能说它没有进步，但进步的确非常缓慢。如果具有先进制程的半导体国家持续往前走，而中国持续被卡住，这个差距会越来越大。

苏紫云表示，与ASIM的差距，目前推估是在30年左右。中共也许会有一些部分的突破，这个差距可能会拉到20年，可是民主国家民主阵营的技术也在进步。所以这差距还是可以保持得住。