伯恩斯坦：存储价格将在Q2迎来主升浪

全球存储芯片价格正处于本轮上涨周期的高峰阶段。

据追风交易台，伯恩斯坦最新月度追踪报告显示，DRAM与NAND合约价格在5月继续环比走高，综合指标均指向2026年第二季度（2QCY26）将录得约60%的环比涨幅，略超该机构此前预测。然而，随着消费端需求破坏效应逐步显现，价格涨势预计将在第三季度（3QCY26）明显放缓。

据伯恩斯坦分析师Mark Li等人于6月2日发布的报告，5月DRAM合约价格较4月进一步上涨，加权平均数据显示2QCY26传统DRAM合约价格将较1QCY26上涨64%，高于该机构此前模型预测。与此同时，NAND方面，受移动NAND及SSD价格强劲支撑，2QCY26混合均价涨幅预计约为60%，同样略超预期。

上述价格走势对存储板块相关个股具有直接提振意义。伯恩斯坦目前对三星电子、SK海力士、美光及闪迪均维持"跑赢大市"评级，对铠侠维持"跑输大市"评级。报告同时警示，进入下半年后，消费端需求疲软将成为价格涨势的主要制约因素，投资者需关注涨价节奏切换带来的预期差风险。

DRAM：Q2涨幅超预期，服务器需求持续消化增量供给

5月DRAM合约价格在4月基础上继续小幅上行，各细分品类均呈现不同程度涨价。按加权平均计算，2QCY26传统DRAM合约价格较1QCY26上涨64%，其中PC DRAM涨约46%，服务器DRAM涨约53%，移动DRAM涨幅约80%，消费级DRAM涨幅约85%。

服务器DRAM方面，5月合约价格环比上涨0至3%，混合均价较1QCY26高出约53%。供应商持续将产能从其他细分领域向服务器DRAM倾斜，同时受HBM4量产延迟影响，部分晶圆产能得以释放，但新增供给均被旺盛需求迅速吸收。美国云服务商仍是优先供货对象，中国云服务商的长期协议（LTA）谈判尚在进行中，预计获得的供货量及条款均不及美国客户。

PC DRAM方面，需求韧性超出预期，MacBook Neo的强劲需求是原因之一，PC OEM的2QCY26价格谈判已基本完成。值得关注的是，DDR4芯片合约价5月环比大涨19至25%，主要受中国台湾厂商Nanya（2408 TT，未覆盖）主导供给所推动，低端PC及消费应用需求仍具支撑。

移动DRAM方面，三星和美光要求2QCY26价格较1QCY26上涨80%以上，SK海力士初步报价相对温和，涨幅约55至60%。TrendForce预计最终成交价涨幅接近80%。然而，经历两个季度的大幅涨价后，智能手机OEM已开始调整生产计划，TrendForce预计今年智能手机出货量将下滑16%，移动DRAM价格涨幅预计在下半年收窄至每季0至10%。

展望3QCY26，TrendForce将PC DRAM价格预期上调至环比涨8至13%，高于此前预测的3至8%，但相较2QCY26仍是显著减速，4QCY26预计进一步放缓。

NAND：晶圆涨价趋缓，SSD与移动NAND撑起整体涨幅

NAND方面，5月晶圆合约价格涨势进一步收窄，环比仅上涨1至2%，主要原因是模组厂商对高价晶圆采购趋于谨慎，采购量持续下降。但受移动NAND及SSD价格强劲支撑，2QCY26混合NAND合约价格涨幅预计仍约达60%。

具体来看，移动NAND（eMMC/UFS）2QCY26合约价格预计环比上涨约75至80%，主要驱动力来自eSSD需求对供给的持续挤占。512GB UFS合约价格涨幅同样预计约80%。SSD合约价格涨幅预计约70%，与移动NAND相近。

现货价格方面，5月NAND晶圆现货价格在4月下跌7%后趋于稳定，环比微涨0.2%，月末现货价格仍较合约价低约20%。

伯恩斯坦指出，进入3QCY26后，随着消费端需求走弱，NAND价格涨势同样预计明显收窄。该机构对NAND板块结构性上持谨慎态度，主要原因是中国厂商（尤其是YMTC）带来的竞争压力持续上升。

现货市场：短暂回调后企稳，供需缺口仍然显著

5月DRAM现货价格整体回暖，此前数月的抛售压力已被市场消化。PC DRAM方面，DDR4和DDR5芯片现货价格分别环比回升5%和7.4%；服务器DRAM模组现货价格环比上涨1.6至3.1%。

伯恩斯坦指出，服务器DDR5模组现货价格仍大幅高于合约价，尤其是DDR5模组，显示市场暴需缺口依然突出。在AI需求保持强劲的背景下，现货价格短期内大幅下跌的可能性较低。

NAND现货价格同样在5月趋于稳定，此前4月的急跌已基本消化。伯恩斯坦认为，现货价格可作为合约价格走势的领先指标，当前稳定态势对合约价格形成一定支撑。

长协谈判：美国CSP基本落定，中国客户仍在磋商

长期协议（LTA）谈判进展成为市场必注的新焦点。报告显示，存储供应商已基本完成与美国云服务商的LTA谈判，而与中国云服务商及消费端客户的谈判仍在进行中。

伯恩斯坦认为，LTA的覆盖范围将对未来价格走势产生重要影响——协议范围越广，一旦市场出现回调，其缓冲效果也将越明显。

该机构预计，存储价格将逐步在2HCY27触顶，并于CY28随新增产能释放而开始正常化回落。