花旗上调美光目标价至840美元

花旗认为，AI需求正推动存储行业进入超级景气周期，DRAM与HBM价格将持续大涨。由于HBM生产挤占普通DRAM产能，DRAM有望迎来超级涨价周期。目前三星、美光已相继提价，预计2027年HBM价格将进一步走高。报告将美光目标价从425美元大幅上调至840美元，并预测其2027财年核心EPS将首次突破百元，达到104.56美元。

在AI算力需求激增与供给持续受限的双重作用下，内存行业正进入一轮罕见的超级景气周期与盈利重估阶段。

花旗分析师Atif Malik在5月18日发布的报告中，将美光科技目标价从425美元大幅上调至840美元，涨幅接近翻倍，并维持“买入”评级。此次上调的核心逻辑在于DRAM超级周期正加速进入价格弹性释放阶段。

报告指出，高带宽内存（HBM）供给持续紧张，预计2027年定价仍有上行空间。由于生产HBM需消耗普通DRAM晶圆产能的3至4倍，HBM的持续扩产将挤占普通DRAM的供给，进而推动后者价格上行。在具体提价节奏上，三星已于2026年第一季度率先提价，美光则计划在2026年第二季度跟进上调约40%。

基于价格上行趋势，花旗同步上调美光盈利预测：2026财年核心每股收益（EPS）上调约10%至58.46美元，2027财年进一步上调至104.56美元。新目标价840美元锚定在2027年预期每股收益的约8倍。

DRAM涨价浪潮加速，美光跟进三星步伐

当前DRAM涨价浪潮已全面展开。三星于2026年一季度率先提价100%，美光则计划在2026年二季度跟进，上调约40%。

本轮涨价主要由普通商用DRAM（非HBM）的供需缺口驱动。设备厂商应用材料（AMAT）的硅系统销售展望显示，DRAM比特供应增速预计到2026年底仅为30%左右，这一增量仍无法满足2027年AI数据中心的需求扩张，未来需额外投入新晶圆产能。

花旗预计，2026年DRAM均价同比上涨约200%，NAND价格同比上涨约186%，这进一步印证当前内存行业正处于历史性强定价周期。

HBM供应持续偏紧，2027年涨价预期升温

HBM定价前景是美光估值上调的核心逻辑之一。

生产HBM所需消耗的晶圆产能约为普通DRAM的3至4倍。而当前HBM与商用内存之间的盈利差距，尚不足以驱动内存厂商大规模转换或新增产能。因此，厂商在供给端普遍保持克制，导致HBM供应持续偏紧。

预计在供给受限格局下，2027年HBM定价仍有上行空间。同时，内存厂商将继续维持自律性供给管理，以避免AI数据中心因成本过高而削减HBM采购量。

不过，需求端风险亦不容忽视。思科（Cisco）已因涨价压力，在包括无线产品在内的20余个产品线中削减50%的DRAM用量。这一案例表明，过高的内存价格可能抑制部分终端需求，内存厂商需在涨价节奏与需求维系之间寻求平衡。

目标价大幅上调，估值锚定历史涨价周期

花旗将美光目标价从425美元上调至840美元，估值倍数从2027年预期每股收益的5倍提高至8倍，理由是当前定价环境史无前例且AI需求强劲。该估值水平与美光历史DRAM上行周期的交易区间一致。

报告预计，美光2027财年核心每股收益为104.56美元，2028财年回落至80.49美元，已反映周期性回调预期。2027财年自由现金流预计达879.31亿美元，自由现金流收益率约10.6%。