中共芯片之殇：关键技术落后ASML至少20年？-墙外头条

（大纪元记者Sean Tseng撰文／王君宜编译）过去几周，中共官媒大肆宣传国产极紫外光（EUV）光刻技术取得“重大突破”，引发国际关注。EUV光刻机是当前全球最先进的芯片制造设备，也被视为北京推动半导体自主化的最大技术瓶颈。

然而，业界普遍认为这类高调宣传言过其实。目前，全球唯一具备量产EUV光刻机能力的企业，仍是荷兰半导体设备龙头阿斯麦（ASML）。尽管中国已在实验室条件下产生EUV光源，但多数专家认为，从实验室展示走向稳定、可商业化运作的完整系统，中方仍落后20至30年之久。

此外，专家也指出，中共体制内普遍存在的腐败、人才流失与政治风险，进一步削弱了其技术追赶的可行性。

实验室成果距量产仍遥不可及

EUV技术利用13.5纳米光波刻画电路图样，可制造出5纳米甚至更先进的芯片。由于美国已禁止ASML向中国出口先进EUV设备，中共只能自行开发替代方案。

一套完整的EUV系统须具备三大子系统的完美协作：高能光源、高精度反射镜，以及超稳定晶圆移动平台。其中，光源最难攻克。

目前全球主流光源技术为ASML率先商用的LPP（雷射产生等离子体）架构，透过高功率二氧化碳雷射连续照射高速喷射的微小锡滴，使其形成锡等离子体并释放出13.5纳米波长的极紫外光。

中共目前最具代表性的LPP项目位于中国科学院上海光机所（SIOM），由2021年从ASML回国的光源科学家林楠领导。

林楠团队今年3月报告显示，其转换效率达3.42%，单次脉冲能量超过20毫焦耳，优于2019年荷兰纳米光刻先进研究中心的3.2%与瑞士ETH苏黎世大学2021年测得的1.8%。

虽然此成果被中共官媒誉为“国际先进水平”，但仍落后于2007年美国中佛罗里达大学创下的4.9%与2024年日本宇都宫大学的4.7%，更远低于ASML目前商用机器约5.5%的效率。

转换效率是指雷射能量中成功转为极紫外光（EUV）的比例。3%的效率代表97%的能量以热或其它形式流失。提升效率可减少能耗、降低热负载，并加快生产速度。

除了LPP，中国多家科研机构也在尝试多种方案，例如哈尔滨工业大学正重拾已遭ASML淘汰的“放电产生等离子体（DPP）”技术，虽成本低、设备小，但功率不足。

华中科技大学与广东智能制造研究院则尝试使用纤细的光纤雷射，希望避开ASML所依赖的庞大二氧化碳雷射装置。

清华大学的想法最为大胆，尝试用粒子加速器产生稳定的微束脉冲光，即SSMB（稳态微束化）EUV。

然而，这些技术多仍停留在实验室阶段，距离能支援日夜稳定量产的制造设备，尚有极大落差。尽管如此，中共官媒每逢出现初步成果，便大肆宣传，暗示自制EUV工具“即将问世”。

尽管媒体炒作不断，ASML首席执行官傅乐凯（Christophe Fouquet）仍对这些声称表示怀疑。

他在4月的一场投资人电话会议中表示：“产生一些EUV光不难，但中国要制造出一台EUV机器，恐怕还需要很多很多年。”

前台积电（TSMC）采购经理薛宗志对《大纪元时报》表示：“几乎每一个中文标题都夸大其词，耸人听闻。……若真有突破，中国（中共）反而会保持低调以避免制裁。”

他估计，中国离ASML目前水准至少还有20年差距。“在实验室中，你可以不计成本、依赖一整套笨重设备成功产生EUV光；但若要将其转化为能稳定量产、全天候运作的商业化设备，可能还需二十年，甚至最终仍可能失败。”

“大规模生产意味着每秒的品质都相同。”薛补充道。

台湾大学电机工程系教授林宗男指出，ASML目前EUV光源功率已达600瓦以上，而中国哈工大的原型系统仅不到100瓦，远低于目前业界量产需求的250瓦以上。

台湾工研院政策研究主管李冠华认为，即便光源技术突破，EUV系统仍需整合极精密的反射镜、抗震平台与制程回馈系统。

他向《大纪元时报》表示：“尤其在3纳米与2纳米节点下，任何微小误差都会导致良率下降。”

目前中国最先进代工厂仍停留在14纳米节点，无法提供测试平台协助优化EUV工具。

专家指出，建立一套完整的光刻生态系统，不仅关乎物理，更取决于人才与制度建设。

“科学需要失败的自由。”台湾国防安全研究院研究员苏紫云表示。

他指出，逆向工程或许适用于制造航空母舰，但无法套用在原子尺度上的物理原理。

李冠华补充，真正掌握光刻技术，需仰赖如日本所展现的“工匠精神”——数十年如一日的投入与反复验证。而在中国，科研资源的配置往往重速度、轻严谨，导致研究人员倾向夸大成果。

这类奖励机制催生了“大基金”（中共国家集成电路产业投资基金）贪腐丑闻。中共当局斥资数百亿美元扶持清华紫光等本土半导体企业，随着多名高层涉贪遭查，该项目不到两年便宣告瓦解。

苏紫云指出，在一党专政体制下，没有人真正安全。中共可随时以泄密为由整肃科学家，导致顶尖人才难以久留。

ASML的领先并非单靠资金。该公司花费三年证明EUV技术可行，又耗费十五年将其转化为工业量产设备，并与台积电、三星、英特尔等客户密切合作，反复优化每个细节。

薛宗志表示，这种耐心与精细的文化，与中共透过技术窃取或企业收购寻求捷径的做法截然不同。

EUV技术需要累积数百万GB的光学数据，而这些数狙台有ASML拥有。他指出：“就算明天有人收购ASML，也无法靠一群博士团队在短时间内复制这些机器。”

他举例，台积电位于亚利桑那州的新晶圆厂，良率一度停滞不前，直到台湾总部派出数百名资深工程师与大量资料库支援，才逐步改善。

“这种软实力无法被复制。”他说。

他指出，中国在太阳能这类低门槛产业表现亮眼，“但到了半导体，就会遇上真正的墙。”

根据美国新兴技术安全中心（CSET）报告，2019至2024年间，中国在全球光刻机市场的占比极低。

目前全球光刻机市场由荷兰占79%、日本占17%。即便在较旧的365纳米i-line技术领域，中国占比也仅约4%。在先进的EUV领域，中国市占为零。

李冠华表示，美国出口管制使中国进展近乎停滞；随着世界其它国家持续推进3纳米与2纳米制程，差距只会越拉越大。

苏紫云认为，目前中国与全球先进水准的差距约30年。

即便未来有所突破，也最多可缩短为20年，但“其它国家也不会停下脚步，这道差距很可能会维持下去。”

原文“Why ASML Chipmaking Tools Remain China’s Core Bottleneck Despite Reports of EUV Progress”刊登于英文《大纪元时报》