中国光刻机距离量产仍有多年差距，难以撼动ASML在全球光刻机市场的主导地位。图为ASML实验室。（法新社）

中国半导体的自主化再取得新进展。路透社引述知情人士报道，中国已开始量产自主研发的浸润式深紫外光（DUV）光刻机，由国有企业“上海爱晟纳电子科技集团”主导生产，计划今年制造约5台、2027年增至约20台。

虽然这项突破被视为北京降低对外国半导体设备依赖的重要1步，但分析人士指出，中国国产DUV设备仍须进一步测试，在良率、生产效率和可靠性等关键指标上，距离荷兰艾司摩尔（ASML）产品仍有明显差距，短期内尚难撼动ASML在全球光刻机市场的主导地位。

路透社报道，知情人士透露，中国已开始量产自主研发的浸润式深紫外光（DUV）光刻机。这项对先进芯片制造至关重要的技术取得突破，象征北京推动降低对外国半导体设备依赖的计划迈出重要1步。

消息人士表示，由中国国有企业“上海爱晟纳电子科技集团”（Shanghai Aishengna Electronic Technology Group）主导这项生产计划。该公司已整合中国顶尖光刻设备新创企业的研发团队。

这项进展被视为中国推动半导体自主化战略的重要成果，而半导体自主化也是中国国家主席习近平最重视的政策目标之一。不过，这些技术短期内仍不会对荷兰半导体设备巨头艾司摩尔（ASML）构成商业威胁。DUV光刻机是芯片制造关键设备，长期由ASML主导市场。

科技媒体《The Information》28日率先报道中国正在研发相关设备，指出上海1家未具名的国有背景企业已开始制造DUV光刻机这类机器，计划今年生产约5台，2027年增产至约20台。路透社则首次揭露，这家企业正是上海爱晟纳电子科技集团。

国产DUV仍须测试　可成中国芯片设备替代方案

消息人士表示，爱晟纳的DUV光刻机预计仍须要进一步测试，目前距离达到荷兰竞争对手产品的性能仍有很大差距。不过，如果这项设备最终成功投入使用，将让中国芯片制造商在西方政府进一步限制外国光刻设备出口或维修服务时，多出1个替代来源。

《The Information》引述两名知情人士指出，中国制造的DUV光刻机预计在今年交付给中国主要的芯片制造商，包括中芯国际（SMIC）、华虹半导体，以及记忆体芯片制造商“长鑫存储”（CXMT）。

浸润式DUV光刻机是在投影镜头与矽晶圆之间加入1层水，利用水提高光线折射率，进而在晶圆上印制更细微的电路图案。这类设备被广泛用于生产各类芯片，也能透过“多重曝光”（multiple patterning）技术制造更先进的半导体。这项技术需要对同1个芯片层重复曝光，以达到更细小的线路制程。

上海资本与技术支持　神秘企业成中国光刻突破核心

根据企业资料，爱晟纳成立于2023年8月，注册资本达70亿元人民币，由两家国有股东支持，分别是上海电气控股集团，以及上海国际信托旗下子公司。外界对这家公司所知甚少。该企业没有官方网站，也未公开披露营运内容。

消息人士指出，爱晟纳已整合光刻设备新创企业“宇量升”（Yuliangsheng）的团队，以及上海微电子装备（SMEE）的相关人才。宇量升去年已开始测试DUV光刻机原型。上海微电子和宇量升都深度参与北京推动半导体自主化的计划。

中国追赶ASML　EUV距离量产仍有多年差距

中国目前受到美国限制，无法购买ASML最先进的极紫外光（EUV）光刻系统。荷兰政府的出口管制，也限制中国取得部分先进的DUV设备。

虽然北京积极推动半导体自主化，中国仍是ASML的重要市场。数据显示，今年上半年，中国市场约占ASML净销售额的16%。虽然中国企业无法取得先进EUV设备，但仍大量采购较成熟的DUV设备。

路透社去年12月曾援引消息人士报道，中国已成功打造EUV系统原型机。EUV是制造全球最先进芯片的关键设备，但这项技术距离量产仍需多年时间。虽然市场对中国国产DUV突破有所反应，但分析师认为，这项进展短期内不会改变ASML的获利走势。

摩根大通分析师28在报告中指出：“生产少量的浸润式DUV设备，与能投入高量产制造的设备并不相同。真正重要的是，在几千片晶圆生产过程中的良率、套刻精度、生产速度以及可靠性。”分析师认为，中国若要真正挑战ASML，仍须要克服大规模量产和稳定性等关键障碍。