SK海力士HBM4样品提交

SK海力士将于近期向英伟达提交HBM4最终样品，若通过认证最快本月内有望量产。此前三星已率先出货HBM4，SK海力士因兼容性问题延迟认证，地位承压。此次成败将决定谁主HBM4市场。SK海力士同步推进1c纳米LPDDR6量产，董事长崔泰源将亲赴GTC会晤黄仁勋。

SK海力士迎来HBM市场的关键转折点。

3月10日，韩国Citrini7分析师Jukan在X平台上发文表示，据半导体行业消息人士透露，公司将于近期向英伟达提交第六代高带宽内存（HBM4）最终样品。若通过英伟达资质认证测试，最快本月内有望收到量产采购订单。

这批样品是SK海力士自去年第四季度以来历经多轮设计修订的成果，目标是满足英伟达11.7 Gb/s最高数据传输速率的要求。

此次认证测试的背景尤为微妙。三星电子今年2月已率先向英伟达供应部分HBM4成品，并宣称"未经任何重新设计即开始量产出货"，在HBM4商业化进程中抢得先机。若SK海力士此次未能通过认证，"HBM4主要供应商"的头衔或将易主三星。

多轮优化后的最后一搏

SK海力士向英伟达提交的HBM4最终样品，已历经多轮优化迭代。

文章援引半导体行业消息，自去年10月底启动认证测试以来，双方曾发现Rubin GPU特定电路与HBM4存在兼容性问题。SK海力士通过强化电路特性、缩小堆叠芯片层间间距等方式提升芯片速度，英伟达亦在多个层面提供协助，目前问题已得到解决。

HBM4是英伟达新一代AI加速器Rubin的核心内存组件，后者预计于今年下半年发布。作为SK海力士2025年的旗舰产品，HBM4通过垂直堆叠多层DRAM芯片，在容量与数据传输速度上均大幅优于传统DRAM。

此次认证的核心不仅在于“通过与否”，还涉及产品分级。英伟达将HBM产品分为Bin 1（高端）与Bin 2两个性能档位。SK海力士面临的挑战是在最终样品中展示技术实力，提升供货中达到高端档位Bin 1的比例。

三星抢跑，SK海力士地位承压

过去数年，SK海力士凭借与英伟达的深度绑定，在AI加速器HBM市场占据逾90%份额，稳居英伟达核心供应商地位。然而，随着HBM4步入商业化阶段，这一格局正面临挑战。

三星今年2月宣布开始向英伟达批量出货HBM4，且强调未经重新设计即完成量产，被业界视为其在HBM竞争中的重要突破。相比之下，SK海力士因兼容性问题导致认证进程延迟，其HBM4主供地位遭遇实质性考验。

文章援引行业观察人士，此次最终样品能否顺利通过认证，将直接决定SK海力士能否延续其在英伟达供应链中的核心地位。若认证受阻，三星有望借此确立HBM4主要供应商地位，在AI内存市场榜局中实现逆转。

高层外交加码，集团董事长亲赴GTC

在技术冲刺的关键阶段，SK集团董事长崔泰源将亲自下场推动HBM4的销售攻势。狙棠章援引消息人士，崔泰源将出席3月16日在硅谷开幕的英伟达GTC 2026大会，预计将与英伟达CEO黄仁勋再度会面，并就SK海力士的HBM技术能力进行专项汇报。

上月，崔泰源已在硅谷与黄仁勋共进“炸鸡配啤酒”，进一步巩固双方合作关系。此次GTC之行被视为SK海力士在技术认证关键节点上的高层外交配合，意在从商业关系层面为量产订单落地提供支撑。

1c制程LPDDR6芯片研发告捷

在HBM4攻坚之外，SK海力士今日宣布成功开发基于10纳米第六代（1c）制程的16GB LPDDR6移动端芯片，这是该公司目前最先进的DRAM制程节点。

据SK海力士介绍，与上一代相比，新产品数据处理速度提升逾33%，能效提升逾20%。公司计划于今年上半年完成量产准备，下半年开始供货。1c制程LPDDR6的推出，展示了SK海力士在先进DRAM制程上的持续推进，为其在移动端内存市场的竞争力提供了新支撑。