韩国海关数据：SSD飙升63%、HBM涨19%

韩国最新海关进出口数据显示，DRAM与NAND闪存价格在单月内出现大幅跳涨，折射出全球存储市场在AI需求驱动下的结构性供需失衡。

其中，NAND闪存产品价格环比飙升63.1%，HBM内存价格环比上涨18.7%，裸DRAM芯片价格环比涨幅亦超过20%。上述数据覆盖2026年4月至5月10日区间，与去年同期相比，各主要品类涨幅普遍在165%至500%之间。

三星、SK海力士、美光等主要制造商正加速扩产。但三星指出，2027年存储市场的供需紧张程度可能较2026年进一步加剧，新建晶圆厂从动工到量产至少需要两至三年，短期内供应端难以实质性缓解。

DRAM与HBM：AI超级周期推动需求激增

根据韩国海关数据，裸DRAM芯片（不含内存模组）4月至5月10日环比价格上涨20.9%，同比涨幅接近500%。这一同比数字直观反映了AI算力扩张对DRAM需求的深度拉动。

HBM作为AI服务器核心组件，价格环比上涨18.7%，同比涨幅达165.5%。HBM目前是英伟达等AI芯片平台的关键存储解决方案，其价格走势直接关系到下游数据中心的建设成本。

基于DRAM模组的内存产品（涵盖DDR5标准下的UDIMM、SODIMM、RDIMM等规格，以及标准DDR和LPDDR制式）环比小幅下降13.9%，但从整体内存品类来看，综合环比涨幅仍达28.8%，同比涨幅为326.3%。

NAND闪存单月涨幅居首，季度涨幅或达75%

NAND闪存是本轮涨价中幅度最为显著的品类。数据显示，NAND闪存产品价格环比上涨63.1%，同比涨幅达351.6%。

市场研究机构TrendForce指出，企业级合同价格涨势尤为突出：基于MLC颗粒的SSD合同价格上涨约50%，SLC颗粒SSD合同价格上涨约20%。当前行业重心已明显向AI导向的存储产品倾斜，美光、三星、SK海力士、铠侠等厂商均在加速布局这一细分市场。

按照当前趋势，TrendForce预计NAND价格在本季度内将累计上涨70%至75%。

消费级SSD现分化：PC需求疲软致现货价格下挫

尽管企业级及AI相关存储产品价格持续攀升，消费端却出现明显背离。TrendForce数据显示，面向消费市场的TLC颗粒SSD现货价格已下跌30%至40%。

这一下行压力源于PC市场需求的明显放缓。高价格环境抑制了消费者购机意愿，导致通用消费级SSD库存出现积压，现货价格随之承压回落。

企业级与消费级存储市场的价格走势由此呈现出截然相反的方向，供需结构的分化正在加速重塑整个NAND产业链的利润分布。