澜起科技2025年净利同比增长58%

全球领先的互连芯片设计公司澜起科技交出了一份强劲的年度成绩单，并完成香港上市，打开国际融资新通道。

澜起科技2025年实现营业收入54.56亿元，同比增长49.9%，归属于上市公司股东净利润22.36亿元，同比增长58.4%。营收、净利润及经营活动现金流量均创公司历史新高。

公司在报告期内完成H股发行准备工作，并于2026年2月在香港联合交易所主板挂牌上市，由此搭建A+H双资本平台。此次H股全球发售获国际资本积极认购。基石投资者认购比例占H股基础发行规模的50%，国际配售订单数量超过500条，订单金额超300亿美元，覆盖倍数超过锚定投资者实际获配金额的60倍。

在股东回报方面，2025年度公司拟派发现金红利4.72亿元（年度分配预案尚需股东会审议），加上中期分红及股份回购，全年现金分红与回购合计约11.19亿元，占归母净利润比例达50.07%。

DDR5渗透加速，内存互连领域持续领跑

受益于AI服务器市场需求旺盛，DDR5在服务器端渗透率快速提升，澜起科技互连类芯片产品线实现销售收入51.39亿元，同比增长53.4%，产品线毛利率较上年提升2.91个百分点至65.57%。

报告期内，公司DDR5 RCD芯片出货量大幅增长，第三子代产品实现规模出货，第四子代产品（支持7200MT/s速率）成功量产，第五子代产品（支持8000MT/s速率）完成量产版本研发。2025年下半年，第三子代RCD芯片销售收入已超越第二子代产品，代际切换进程在行业中保持领先。

在服务器新型高带宽内存模组MRDIMM领域，澜起科技是全球仅有的两家可供货第一子代MRCD/MDB芯片的厂商之一。公司于2025年1月推出第二子代MRCD/MDB芯片，速率支持提升至12800MT/s，较第一子代提升45%；自第四季度起，第二子代产品出货量显著提升。

PC端CKD芯片亦于报告期内推出支持9200MT/s的新一代产品，行业渗透率进一步提升，出货量快速增长。

根据弗若斯特沙利文的数据，2024年全球内存互连芯片市场中前三家企业合计占据93.4%的市场份额，澜起科技以36.8%位居全球第一。

PCIe/CXL互连版图拓展，AI服务器需求直接驱动出货

PCIe Retimer芯片已成为AI服务器核心高速互连组件。以配置8块GPU的典型AI服务器为例，通常需要8至16颗PCIe Retimer芯片，部分国产AI服务器配置量高达24颗。

公司PCIe Retimer芯片出货量自2024年起快速增长，据弗若斯特沙利文的数据，2024年公司在全球PCIe Retimer芯片市场排名第二，市场份额约10.9%。

2025年1月，公司推出PCIe 6.x/CXL 3.x Retimer芯片并向客户送样，支持64GT/s传输速率，并于2026年1月发布相应的AEC有源线缆解决方案，同时积极推进PCIe 7.0 Retimer芯片及PCIe Switch芯片的研发。

在CXL互连领域，公司2025年9月推出符合CXL 3.1标准的MXC芯片并向主要客户送样。2025年1月，公司MXC芯片入选CXL联盟首批CXL 2.0合规供应商清单，同期入选的三星电子和SK海力士，其受测产品均搭载了澜起科技的MXC芯片。

研发投入持续增加，SerDes技术成核心底层支撑

2025年，公司研发费用为9.15亿元，同比增长19.9%，占营业收入比例为16.8%。

自2019年A股上市以来，公司研发费用逐年递增。截至2025年末，研发技术人员583人，占员工总数74.4%，其中硕士及以上学历占比约64%。

在核心技术层面，公司自主研发的64GT/s PAM4 SerDes技术已成功应用于PCIe 6.x/CXL 3.x Retimer芯片，目前正在研发支持128GT/s的SerDes技术，用于PCIe 7.0 Retimer及高速以太网PHY Retimer芯片。

知识产权方面，截至2025年末，公司累计获授权国内外发明专利224项。

毛利率提升，费用波动影响净利润表观增幅

2025年公司整体毛利率为62.2%，较上年提升4.1个百分点，净利润率41.0%，较上年提升2.2个百分点。经营活动产生的现金流量净额为20.22亿元，连续四年增长。

需要注意的是，2025年管理费用较上年大幅增长至5.26亿元，同比增幅达168.2%，主要原因是实施核心高管激励计划导致股份支付费用显著增加。

全年股份支付费用合计4.31亿元，对归母净利润影响约4.12亿元（税后）。剔除股份支付及港股上市费用的非企业会计准则净利润为26.50亿元，同比增长约81%。

在汇率风险方面，公司日常经营主要以美元结算。2025年公司外汇汇兑损失为4,074.94万元。在其他变量不变的假设下，人民币对美元每升值5%，将对公司当年净损益产生约9,359万元的负面影响。