英伟达又“带飞”一股

纳微半导体股价盘前大幅攀升，成为AI基础设施投资热潮中的最新受益者。公司宣布与英伟达MGX生态系统展开合作，共同推进800 VDC人工智能基础设施建设，消息提振市场情绪。

公司于5月29日参加了英伟达在中国台北南港展览中心举办的合作伙伴典礼，并正在COMPUTEX 2026展会上展示其800 V至6 V直流-直流电源分配板（PDB）产品。该产品专为AI数据中心800 VDC机架架构设计，旨在提升系统效率与功率密度。

纳微半导体首席执行官Chris Allexandre表示，随着AI工作负载持续扩展，电力传输已成为构建下一代吉瓦级AI工厂最关键的挑战之一。

消息公布后，纳微半导体股价盘前涨幅超过22%。该股过去一年已累计上涨335%，年初至今涨幅达262%，市值约为62.1亿美元。

消除中间转换环节，直攻GPU供电

纳微半导体此次展示的800 V至6 V电源分配板是其参与英伟达MGX生态系统的核心产品。

该产品的关键创新在于，直接消除了计算服务器托盘内传统的48 V中间总线转换器（IBC）环节，从而最大化系统效率、可靠性，并节省宝贵的物理空间。

从技术参数来看，该电源分配板搭载16颗GaNFast场效应管，额定电压650 V、导通电阻11毫欧，采用最新DFN8×8双面散热封装，目标峰值效率达97.5%，工作开关频率为1 MHz，功率密度高达2100 W/in?。

此外，该板厚度比手机薄约20%，超薄外形允许其与GPU板进行极近距离集成，从而最大化瞬态性能并提升配电效率。

宽禁带半导体组合：覆盖从电网到GPU的全链路供电

纳微半导体在此次合作中展示的不仅是单一产品，而是其覆盖AI工厂全链路供电需求的宽禁带（WBG）半导体技术组合。

在碳化硅（SiC）方向，公司的GeneSiC解决方案支持从电网到AI计算机架的高效电力传输，涵盖采用2300 V和3300 V SiC功率模块的固态变压器，以及基于第五代技术1200 V SiC MOSFET的高功率三相电源供应单元。

在氮化镓（GaN）方向，GaNFast技术凭借MHz频率运行能力、更高功率密度和更快瞬态响应，支持从机架级直接向GPU高效传输电力。公司目前已拥有逾300项已授权或待审专利。

股价强势背后：营收超预期，但估值争议犹存

纳微半导体近期股价的强劲表现，部分得益于基本面的边际改善。

公司此前公布的2026财年第一季度营收为860万美元，超出市场预期的818万美元。然而，每股亏损为0.15美元，明显差于预期的亏损0.05美元。

与此同时，公司近期完成了一笔规模1.22亿美元的按市价发行股票融资，与Craig-Hallum Capital Group LLC及瑞银证券签署销售协议，最高可发行1.25亿美元A类普通股，所募资金料将用于支持公司在高功率市场及AI基础设施领域的战略布局。

值得注意的是，据分析，在股价年内已大幅攀升的背景下，该股目前相对其公允价值估算存在高估。