万亿美光的全球扩产版图

美光管理层预判供应偏紧格局延续至2026年后，随即启动横跨美国、日本、新加坡、印度、马来西亚的全球建厂行动——新产能从2027年起陆续释放，时间表一路延伸至2030年，一场持续数年的资本支出大周期正式开启。

美光科技正将AI驱动的存储器需求热潮转化为一场横跨多大洲的产能扩张行动。

美光隔夜股价暴涨19%，市值1万亿美元关口，随后以历史收盘新高收市，创下今年以来第28个历史峰值。与此同时，美光管理层预计存储器市场暴应偏紧的局面将延续至2026年以后，并正在加速推进全球建厂计划，大部分新产能预计从2027年起陆续投产。

这一扩张版图覆盖美国、日本、新加坡、印度及马来西亚，涵盖DRAM、HBM及NAND多条产品线，新产能时间表一路延伸至2030年。对投资者而言，这意味着美光的资本支出周期将持续数年，而供给释放的节奏也将深刻影响整个存储器市场的供需格局。

美国：爱达荷与纽约锚定前沿制程，弗吉尼亚扩产DDR4

美光在美国本土的扩产动作近期明显提速。5月22日，美光宣布位于弗吉尼亚州马纳萨斯的晶圆厂正式启动1α（1-alpha）DRAM量产。该节点为美光目前最先进的DDR4制程，公司表示此举将使该厂DDR4晶圆产出提升至原来的四倍，主要服务于汽车、工业、网络、医疗及国防航天等长生命周期应用领域。

据集邦咨询（TrendForce）分析，马纳萨斯Fab 6的扩产主要反映美光内部产能的重新分配，并不代表其重新聚焦消费电子DDR4供应。集邦预计，Fab 6的月投片量将在2027年第四季度达到2026年第二季度水平的1.5倍，1α制程的量产时间预计在2026年底前后。

在前沿制程方面，美光的核心布局集中于爱达荷州和纽约州。据STOCK Analysis的会议记录，美光管理层在摩根大通第54届全球科技、媒体与通信年会上表示，爱达荷州Idaho 1厂进展顺利，晶圆产出时间已从2027年下半年提前至2027年年中；Idaho 2厂预计于2028年底开始晶圆生产。

美光还表示，在完成第二座爱达荷晶圆厂后，计划在美国本土引入先进HBM封装能力。两座爱达荷工厂与研发中心的协同布局，预计将带来规模效益并加快HBM等前沿产品的上市速度。纽约州方面，美光已于今年1月提前举行奠基仪式，预计2030年开始投产，产能将在此后数年间逐步爬坡。

日本：广岛工厂动工在即，HBM出货目标锁定2028年

据日经新闻报道，美光计划投入约1.5万亿日元（约合96亿美元），在日本西部建设下一代存储芯片生产设施。该项目计划于2026年5月在广岛县东广岛市的现有广岛工厂厂区内启动建设，HBM芯片出货目标定于2028年前后。

尽管美光尚未正式确认上述计划，但日本当地媒体已记录到实质性的地面进展。据RCC Broadcasting报道，美光广岛工厂西侧约9.5公顷区域的土地开发工作已于今年3月启动，现场施工标识显示相关工程将持续至2028年2月。

此外，据Higashihiroshima Digital报道，美光存储日本公司已于今年3月中旬在西条町昭和町开设新的西条办公室，该办公室一楼约2320平方米的办公空间容纳了约300名员工，涵盖总务、市场营销等间接职能部门及工程团队。

新加坡与中国台湾：NAND与HBM双线并进

新加坡在美光全球版图中承担NAND产能扩张的核心角色。美光今年早些时候已在新加坡为新NAND晶圆厂举行奠基仪式，晶圆产出预计于2028年下半年启动。

与此同时，美光在摩根大通年会上表示，其位于新加坡的HBM设施建设进展顺利——该设施于2025年初奠基，预计2027年开始贡献产量，与台湾现有HBM业务形成互补。

中国台湾地区，美光在收购力晶积成（PSMC）铜锣晶圆厂后持续推进扩建。管理层表示，配套的孪生晶圆厂预计于今年夏季启动建设；现有铜锣P5厂预计于2027年日历年下半年开始实现有意义的DRAM晶圆产出；新铜锣厂则预计从2028财年起支持有意义的产品出货。

印度与马来西亚：后端封测支撑全球供应链

在前端晶圆制造之外，美光将印度和马来西亚定位为关键的后端封装与测试中心。据Adda 247 Current Affairs报道，美光位于印度萨纳德的工厂于2026年3月正式投产，标志着印度首个先进存储器ATMP（先进封装、测试、标记与封装）业务的落地。据Business Standard此前报道，该工厂满产后最高可贡献美光全球产出的10%，同时服务国内外市场。

马来西亚方面，据The Sun报道，美光于2010年在柔佛州麻坡建立马来西亚业务，此后扩展至槟城，并在当地持续建设下一代制造能力。目前，美光马来西亚工厂负责NAND、DRAM、固态硬盘及内存模组的封装与测试，产品直接供应从数据中心到边缘设备的各类AI应用场景。